با کوچکتر شدن وسايل الکترونيکي؛ مانند دستگاههاي MP3 و دوربينهاي ديجيتال، نياز به حافظههاي کوچکتر هم بيشتر احساس ميشود؛ لذا دانشمندان سعي كردند تا حافظههاي کنوني و ساخت نسل آينده حافظهها را اصلاح نمايند.
آنها علاوه بر بهکارگيري مواد خاص براي بهبود عملکرد حافظهها سعي کردهاند تا روش ذخيره اطلاعات را از شيوه مبتني بر بار الکتريکي به ذخيره مقاومتي تبديل نمايند و بر اين اساس حافظههاي جديدي را بسازند؛ چرا که در روش باينري، ذخيره اطلاعات به مقدار بار الکتريکي تراشه بستگي دارد و با کوچکتر شدن اندازه تراشهها، مقدار بار قابل ذخيره روي آنها نيز کمتر ميشود.
به همين منظور، گروهي از محققان آلماني و آمريکايي به دستاوردي جديد در زمينه حافظههاي الکترونيکي رسيدهاند که موجب بهبود عملکرد، ظرفيت و عمر باتري وسايل الکترونيکي مصرفي ميشود. اين حافظههاي جديد بدون هيچ هزينه اضافي و تنها با همان مواد متداول در صنعت نيمهرساناها که در ساخت تراشه نيز کاربرد دارد(چيزي که هر گز قبل از اين حتي تصور آن هم ممکن نبود) ساخته شده و با همه کالاهاي موجود در بازار سازگار بوده و ارزان است.
اين محققان توانستند با استفاده از روش نانويونيک، به جاي حرکت دادن الکترونها، خود يونها را وادار به حرکت نموده و از محدوده مقاومت بالا به محدودهاي با مقاومت کم منتقل نمايند. آنها به اين منظور از همان ناخالصي مس داخل تراشه دي اکسيد سيليکون استفاده کردند و با حرکت دادن آن، نوعي سوئيچ جديد نانومقياس را براي استفاده در حافظههاي مقاومتي ساختند.
با توجه به آنکه اين مقاومت حتي در صورت خاموش شدن دستگاه يا قطع برق هم تغيير نميکند، اطلاعات ذخيرهشده بر اساس آن هم ثابت بوده و حفظ ميشود. همچنين با توجه به مصرف کم اين حافظهها ميتوان بدون ايجاد افت ولتاژ محسوس، تعداد زيادي از آنها را در دستگاه به کار برد.
اين نوع حافظه جديد مورد توجه بخش صنعت قرار گرفته و طي چند سال آينده شاهد حضور آن در بازار مصرف خواهيم بود. آنچه در اين باره جالب توجه است امکان استفاده از اين حافظهها در تمامي کاربردها اعم از لبتاپها تا ايپودها و تلفنهاي همراه و هر چيز ديگري است. گفتني است نتايج اين تحقيق در گزارشي در شماره اکتبر 2007 نشريه IEEE Transactions on Electron Devices به چاپ رسيدهاست |
